GOLETA, California-Este hito es un signo tangible del aumento en la tasa de adopción de semiconductores de nitruro de galio de alta tensión, una tendencia confirmada por la participación publicitada en el mercado de importantes líderes del sector
Transphorm Inc., líder en el diseño y la producción de los primeros y más fiables semiconductores de nitruro de galio (GaN) de 650 V que cumplen con los estándares JEDEC y AEC-Q101, afirma que ha enviado más de 250.000 transistores de efecto de campo (field effect transistor, FET) GaN de alto voltaje. Los dispositivos, que se utilizan en aplicaciones de producción en masa de clientes, son fabricados en la fundición de obleas que tiene la compañía en Aizu, Japón.
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